型号:BSO612CV | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC |
系列 | SIPMOS® |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | N 和 P 沟道 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 3A,2A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 120 毫欧 @ 3A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 20µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 15.5nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 340pF @ 25V |
功率_最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | P-DSO-8 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
深圳市百域芯科技有限公司 | 雷小姐075582788062 |
深圳市成源运利电子科技有限公司 | 林086-0755-15913992480 |
深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
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