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电子元器件详细资料 » IC[12352] » BSO612CV
型号:BSO612CV类别:FET - 阵列制造商:Infineon Technologies
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC
系列SIPMOS®
制造商Infineon Technologies
FET型N 和 P 沟道
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3A,2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C120 毫欧 @ 3A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 20µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs15.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds340pF @ 25V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装P-DSO-8
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
深圳市百域芯科技有限公司雷小姐075582788062
深圳市成源运利电子科技有限公司林086-0755-15913992480
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